1.二次电子像分辨率：≤ 3 nm(加速电压30 kV)；

2.背散射电子像分辨率：≤ 20 nm（拓扑像、成分像）；

3.电子枪：肖特基场发射电子枪；

4.加速电压：0.5～30 kV；

5.最大束流：≥3μA；

6.束流稳定度：≤ ±0.3%/h (50 nA@10 kV)；

7.图像放大倍数：40倍～400,000倍；

8.电子像的畸变：＜3% (＞400倍放大率)；＜5% (＜400倍放大率)；

9.分析元素：⁵B～⁹²U；

10.分析精度：优于1%(主元素：含量＞5%)和5%(次要元素：含量～1%)；

11.波谱仪道数：5道（RAP/LSA200、LSA50/LSA70、PET/LiF、LiF/ADP、LSA80/LSA120）；

12.分光晶体：全聚焦型晶体；

13.能谱仪：牛津80 m²。