二次电子图像分辨率：0.6 nm @ 15 KV ，1.0 nm @ 1 KV
放大倍数：1x～2,500,000x
加速电压：20V～30 kV
能谱仪：分辨率（MnKa）127 eV，分析元素范围：5B ～ 92U
电子背散射衍射仪（EBSD）: 高速低噪音CMOS相机，分辨率1244✱1024;在线解析最高标定速度5700点/秒, 取向精度0.01度
原位纳米压痕系统: 20mN力传感器,载荷分辨率: ≤50 nN （噪音值）；最大压痕深度25μm,位移分辨率: ≤0.05 nm（噪音值）；最大纳米压痕点阵测量面积：10mm x 10mm；最大疲劳测试频率：500Hz
本仪器具有稳定的电子光学系统，通过电子光学镜筒设计优化，综合像差大大降低，从而具有超高分辨率。配备的镜筒内电子束减速模式,可在低压下直接对高低起伏的不导电样品进行高分辨成像。样品室低位二次电子探测器，可给出样品表面的凹凸信息。镜筒里InLens 在轴二次电子探测器，可给出样品超高分辨表面细节信息。样品室配有BSD背散射电子探测器，可给出平整无定形材料的成分衬度、平整光滑晶体材料的电子通道衬度。配备牛津AZtecLive UltimMax100 X射线能谱仪，可进行元素点分析，也可给出线扫、面扫元素分布结果。配备的牛津Symmetry S3电子背散射衍射探测器，可测定晶体材料的晶体结构和取向，用于研究材料的微观组织结构和织构。配备牛津FT-NMT04原位纳米压痕系统，可在扫描电子显微镜（SEM）内对微纳米尺度的材料和微结构进行微观拉伸、压缩、弯曲、疲劳、动态机械测试（DMA）、连续刚度法纳米压痕、快速纳米压痕成像、应变速率跃变等多种力学性能测试，并能够在力学测试的同时结合SEM原位观察试样形貌或微观结构的演化。
